沉积、刻蚀仿真必须解决难题
- 多尺度与多物理场耦合
- 复杂的表面反应动力学与竞争机制
- 三维拓扑结构的剧烈变化与数值不稳定性
沉积、刻蚀仿真核心技术
- 高精度三维界面追踪算法
- 微观通量传输与射线追踪
- 表面反应动力学建模
Etch&DepGo! 是一款全国产化的高精度半导体三维工艺形貌仿真软件。软件内置丰富的等离子体传输与表面反应动力学模型，可高保真还原刻蚀、沉积、去胶及 CMP 等多步工艺耦合下的微观形貌演变。通过精准模拟底层物理化学机制，为先进制造探索、结构预测与多步工艺集成提供可靠指导，显著提升研发效率、降低流片试错成本、缩短量产周期。
提供友好易用的可视化交互界面与灵活的JSON参数解析能力，支持多种工艺步骤的自由组合与无缝串联，满足多样化的工艺开发与虚拟制造仿真需求。
内置高性能射线追踪、视场角效应解析及高精度界面演变追踪算法。结合动态网格技术，输出直观的微观形貌可视化数据。
支持标准与竞争型反应离子刻蚀（RIE/CRIE）、热与等离子体原子层刻蚀（ALE）、全角相关离子束刻蚀（IBM）及各向异性晶体湿法刻蚀（CWE）。
覆盖包含离子协同增强的气相沉积（CVD/PECVD）、精确处理空间位阻的自限性原子层沉积（ALD）、考虑重溅射的反弹物理沉积（PVD）及特定晶面选择性外延生长。
基于纯物理溅射机制，综合模拟了离子束倾斜入射、晶圆旋转、离子表面反射以及材料再沉积等复杂物理效应，适用于半导体、MEMS及光磁器件制造中难挥发材料（如金属、合金、陶瓷）的高精度各向异性刻蚀形貌演化预测。
基于多粒子（离子、刻蚀中性粒子及钝化中性粒子）协同机制，综合模拟了物理溅射、纯化学刻蚀、离子增强刻蚀与表面钝化保护等复杂物理化学效应，适用于半导体制造中高深宽比微纳结构（如深沟槽、硅通孔）复杂干法刻蚀工艺的形貌演化预测。
基于多物种（刻蚀粒子、氧气、聚合物沉积物及离子）在表面的动态竞争吸附与反应机制，深度耦合了化学刻蚀、离子增强刻蚀、物理溅射、表面钝化竞争以及掩膜再沉积等复杂效应，适用于高度依赖刻蚀与钝化平衡的高深宽比微纳结构（如DRIE深硅刻蚀、TSV、MEMS器件）三维形貌演化的精准预测。
深度耦合了氟碳等离子体工艺中的聚合物沉积钝化与离子/中性粒子协同刻蚀的动态竞争机制，通过精确计算表面聚合膜的生长与消耗，适用于二氧化硅（SiO₂）等介电薄膜在高选择比、高深宽比通孔（Contact/Via）或沟槽干法刻蚀工艺中的三维形貌演化预测。
基于化学气体改性与定向离子轰击两步交替的自限性循环脉冲机制，精确模拟了表面自饱和吸附与原子级逐层剥离的动态演化过程，适用于极先进半导体工艺（如GAA、FinFET、3D NAND）中对尺寸控制要求极高、且需实现超高选择比及无损伤的原子级高精度三维形貌刻蚀预测。
基于纯热化学气相反应与多组分气体（表面改性剂、钝化抑制剂及配体交换刻蚀剂）的动态竞争吸附与挥发机制，实现了完全无离子损伤的各向同性原子级自限性剥离，适用于全环绕栅极晶体管 (GAA-FET) 纳米线/纳米片沟道释放、以及三维复杂微纳结构中对极高选择比和超高保形性要求严苛的各向同性精细刻蚀工艺。
基于晶体点群对称性折叠与球面三角网格插值算法，能够动态映射并计算任意晶格方向及晶圆偏转角下的各向异性刻蚀速率，适用于MEMS器件与光电器件制造中单晶材料（如硅、氮化铝、蓝宝石等）在KOH/TMAH等化学腐蚀液中的三维复杂多面体形貌演化预测。
结合材料专属的各向同性与定向各向异性刻蚀速率，并深度集成了基于三维几何形貌的动态视线遮蔽（Shadowing）计算，适用于模拟倾斜离子束刻蚀（IBE）、定向物理溅射等极易受微观结构自身几何遮挡影响的多材料复杂三维形貌演化预测。
基于纯几何的水平集（Level-Set）平流推进算法，利用球面（各向同性）或盒状（各向异性）空间分布函数直接驱动多材料界面的演化，极大地提升了计算速度，适用于理想各向同性湿法刻蚀、简单规则微结构加工以及完全保形沉积工艺的极速三维形貌预测。
引入多峰离散射线源，精确模拟了离子束穿过不同几何构型（线栅、方阵、蜂窝或圆锥透镜）法拉第栅极时的分束散角与热展宽效应，适用于带离子光学提取系统的离子束铣削（IBM）工艺中，复杂交叉角度轰击及材料再沉积形貌的精准预测。
深度耦合了多组分前驱气体的动态竞争吸附、非线性反应速率以及表面扩散效应，适用于先进半导体制造中复杂高深宽比三维结构（如深沟槽、硅通孔）内各类化学气相沉积（CVD）薄膜生长与保形覆盖演化的精准预测。
深度耦合了中性自由基热沉积、离子协同增强沉积、角度相关离子溅射以及离子增强表面扩散等复杂微观物理化学机制，适用于半导体制造中高深宽比微纳结构（如深沟槽无缝填充、通孔互连薄膜被覆）在等离子体环境下的三维薄膜生长与形貌演化精准预测。
深度耦合了动态成核演化、前驱体空间位阻、非完全漫反射（TMAC）气体输运以及表面蠕变扩散等复杂微观物理机制，精确模拟了多组分气体交替脉冲的自限性吸附与脱附过程，适用于先进半导体工艺（如3D NAND、GAA-FET）中极高深宽比三维微纳结构内部超高保形性纳米薄膜（如高k栅介质、金属阻挡层）生长的精准预测。
深度耦合了中性原子的定向传输、非完全黏附反射（漫反射与镜面反射）、表面热扩散以及角度相关的离子重溅射机制，适用于精准预测先进半导体互连结构（如高深宽比通孔与沟槽）在各类物理气相沉积（如标准磁控溅射、长靶距/准直PVD、离子化iPVD）工艺下的三维薄膜（如金属互连线、阻挡层）生长与形貌演化。
基于底层种子材料的智能识别遮蔽与晶体点群对称性插值算法，能够精确模拟仅在特定单晶暴露面上发生的各向异性底向外延生长过程，适用于先进逻辑器件（如FinFET、GAA-FET）中源/漏极（Source/Drain）选择性外延（如SiGe、SiC）及复杂多面体晶畴演化的三维形貌预测。
基于严格的三维视线追踪（Line-of-Sight）与动态几何阴影遮蔽（Shadowing）计算，结合了材料专属的定向传输速率与各向同性本底速率，适用于精准预测具有显著阴影效应的物理气相沉积工艺（如电子束/热蒸发镀膜、掠射角沉积 GLAD、准直溅射 PVD）在复杂三维微纳地形上的不对称被覆、悬垂结构（Overhang）生长及空洞（Void）闭合演化。