计算光刻仿真难题
面临复杂多物理场耦合、多尺度物理化学建模、以及超高算力要求等严峻的工程挑战。
计算光刻仿真核心技术
三维掩模近场严格求解算法、严格部分相干矢量成像建模算法、光刻胶物理化学特性严格求解等算法、参数化任意偏振光源建模方法、投影物镜像差特性表征技术等。
LithoSimGo!是一款全国产化的计算光刻曝光工艺仿真与分析软件，用于实现“照明-掩模-投影物镜-晶圆空间像-光刻胶潜像-光刻胶轮廓” DUV/EUV/BEUV 曝光流程高效准确模拟，指导光刻设备与工艺开发、评估曝光性能，提高光刻设备与工艺研发效率、降低研发成本、缩短研发周期。
面临复杂多物理场耦合、多尺度物理化学建模、以及超高算力要求等严峻的工程挑战。
三维掩模近场严格求解算法、严格部分相干矢量成像建模算法、光刻胶物理化学特性严格求解等算法、参数化任意偏振光源建模方法、投影物镜像差特性表征技术等。
采用高度模块化架构，提供完善的 GUI 图形界面与脚本联合开发模式。支持直观的参数设置、配置图形化预览、结果图形化展示，并支持高效的自动化批量仿真，满足科研与工业级的多元化验证需求。
完整的光刻曝光成像仿真流程，量化评估成像对比度、形状保真度等关键指标。
提供多参数联合扫描，支持关键尺寸与光刻胶轮廓预测、工艺窗口分析、丰富的数据处理及可视化功能，量化评估成像对比度、形状保真度等关键指标。
用于确定光刻胶达到完全显影清除所需的最小曝光剂量，从而为曝光剂量设定、光刻胶工艺表征、模型校准及工艺窗口优化提供基础依据。
主要用于确定使目标图形达到设计关键尺寸所对应的最佳曝光剂量，从而为曝光条件设定、模型校准、工艺窗口评估及CD控制优化提供重要依据。
主要用于确定使目标图形达到设计关键尺寸所对应的最佳成像或显影阈值，从而为快速模型标定、尺寸匹配分析及工艺条件评估提供高效依据。
主要用于评估膜层厚度变化对曝光成像与关键尺寸波动的影响规律，从而为光刻胶及底部膜系优化、工艺窗口评估和CD稳定性提升提供关键依据。
通过约束膜系特征参数联合优化各层厚度，抑制驻波、稳定CD并扩大工艺窗口，从而减少调参迭代、提升量产良率与鲁棒性。
主要用于将仿真结果与机台实测的剂量—离焦扫描数据进行对应匹配和误差收敛，从而提升模型校准精度、增强对真实设备成像行为的表征能力。
通过全局搜索方式使仿真结果与机台实测CD、工艺窗口等数据实现高精度匹配，从而提升模型参数反演能力、增强对真实设备与工艺行为的表征准确性。
主要通过对照明光源形状、能量分布等参数进行优化设计，提升目标图形的成像对比度、分辨率与工艺鲁棒性，从而改善复杂图形可制造性并扩大工艺窗口。
主要通过对设计版图进行前向补偿来抵消曝光成像与工艺过程引起的图形偏差，从而提升晶圆图形保真度、关键尺寸控制能力、工艺窗口及最终制造良率。
套刻仿真模块通过精确建模照明光源、套刻标记和光刻参数，实现对不同光刻步骤之间图案对准误差的分析、误差传递和补偿优化。
主要用于评估掩模尺寸微小变化对晶圆成像关键尺寸放大的敏感程度，从而为掩模优化、工艺窗口评估、CD控制及先进节点图形可制造性提升提供关键依据。
