A企业：EUV光刻仿真软件定制化开发
客户痛点
在进行EUV（极紫外）光刻工艺研发时，面临曝光工艺参数极其复杂的挑战，缺乏能够准确模拟EUV曝光过程的专用计算光刻仿真工具，导致工艺参数的仿真与优化工作受限。
技术方案
采用“定制化开发+软件交付”的服务模式，为该企业量身开发一套专属的EUV计算光刻仿真工具软件。服务涵盖前期功能规范制定、核心计算仿真模块开发，以及完整的配套技术培训。
落地成果
成功交付EUV计算光刻仿真软件及《用户手册》，并出具详实的《光刻曝光仿真验证报告》与案例分析。通过提供系统的光刻知识与软件使用培训，成功协助客户实现了对EUV曝光过程的准确模拟与工艺优化。
B企业：OFSS叠层器件仿真软件定制化开发
客户痛点
在研发复杂跨尺度叠层器件时，缺乏高效准确的光学模型，难以精准评估膜层结构、几何参数以及材料光学参数对器件最终性能的综合影响，导致器件的优化设计效率低下、面临瓶颈。
技术方案
采用“案例分析+软件交付”的合作模式。结合波动光学与几何光学原理，为复杂跨尺度器件构建精准的光学模型。同时，通过开展全面的材料测试，提取关键参数以构建专属的光学常数库。
落地成果
成功交付OFSS叠层器件仿真软件。协助客户完成了涵盖发光材料、传输层材料、电极材料、封装层材料等关键材料的光学常数库构建。实现了核心参数（如折射率n、消光系数k、厚度、粗糙度等）的精准拟合与器件参数灵敏度分析，最终助力客户实现了OLED等复杂叠层器件的高效优化设计。
C企业：明场晶圆缺陷检测(BFI)光学模拟算法开发
客户痛点
在有图形晶圆缺陷明场检测设备的研发与应用中，缺乏精确且与之匹配的底层光学成像计算模型，导致设备难以实现高效、高精度的缺陷成像仿真，限制了设备检测能力的进一步提升。
技术方案
采用“算法委托开发+源代码交付”的深度合作模式。专门针对客户的有图形晶圆缺陷明场检测设备，为其建立定制化的物理光学成像计算模型，开发相应的成像仿真软件。同时，配套提供深度的成像算法解析与软件使用培训。
落地成果
成功交付底层软件源代码、详尽的《分析报告》与《软件使用说明》。定制开发的成像仿真软件被顺利集成至客户的明场晶圆缺陷检测设备中，实现了直观的晶圆缺陷检测成像以及系统参数灵敏度分析，有效提升了设备的图形缺陷捕捉与检测能力。
D企业：国产计算光刻软件联合验证与工艺优化
客户痛点
在集成电路实际量产过程中，接触层（Contact Layer）的光刻工艺面临真圆度难以精确控制的难题，容易产生尺寸偏差；同时，客户亟需引入可靠的国产化计算光刻工具，以打破对国外软件的依赖，解决这一量产工艺瓶颈。
技术方案
采用“联合验证+工艺优化”的深度合作模式。依托自主研发的全国产计算光刻软件，针对复杂的接触层工艺，开展精确的空间像以及光刻胶三维形貌的仿真建模与分析。
落地成果
成功实现了接触层真圆度的量化分析与工艺改善。精准输出了接触孔在顶部、中部、底部不同量测位置的三维轮廓形貌预测及最大尺寸偏差数据。有效解决了客户实际量产中的工艺难题，并成功完成了国产软件在实际量产环境下的联合验证与落地应用。
E企业：BEUV光刻成像算法开发
客户痛点
在开展下一代BEUV光刻设备的自主研发与前沿工艺探索时，由于BEUV成像特性的极端复杂性，缺乏能够精准指导设备物理设计与工艺演进的严格光学成像仿真底层模型。
技术方案
采用“算法委托开发+源代码交付”的合作模式。深度结合BEUV光刻成像的物理特性，为其量身建立了一套严格的光刻曝光光学成像仿真模型。开发内容涵盖了底层物理光学成像算法的构建，以及标准的定制化配置文件解析模块。
落地成果
高质量交付底层软件源码及完备的技术文档（《分析报告》、《软件使用说明》）。该系统攻克了高精度空间像计算难题，各项精度指标均与国际主流光刻仿真工具实现严格对齐。此次交付为客户在BEUV光刻设备的整机物理设计与前沿工艺验证阶段，注入了核心的算法支撑与理论指导。
F企业：国产曲线掩模优化OPC软件开发验证
客户痛点
在先进存储芯片制造环节中，随着图形特征尺寸不断缩小，传统掩模技术导致光刻工艺窗口严重受限，难以保障高良率；国内存储器产业上下游链条面临协同发展与EDA工具自主可控的挑战，亟需引入曲线掩模优化技术来突破量产工艺瓶颈。
技术方案
采用“课题联合申报+关键技术开发与联合验证”的深度合作模式。专门针对存储芯片的复杂版图，定制研发了全套曲线掩模优化关键技术模块。技术路径全面覆盖了高保真曲线掩模成像仿真、基于逆向光刻的曲线掩模及辅助图形优化生成，以及严格的曲线掩模规则检查。
落地成果
圆满完成各项开发指标并出具详实的《测试报告》与《验证报告》。技术层面成功实现了目标图形与晶圆光刻轮廓的高精度匹配；量化数据表明，该方案将关键层光刻工艺窗口显著扩大，切实有效地提升了存储芯片良率，并为国产化计算光刻生态链提供了核心技术支撑。