计算光刻仿真难题
复杂多物理场耦合仿真、高效优化流程、海量图形图像处理能力等。
OPC 核心技术
具备版图读取、模型校准、设计规则检查、亚分辨辅助图形生成、掩模修正、光刻结果检查6大核心模块，覆盖完整OPC掩模优化流程。
LithoOPCGo! 是一款全国产化的基于光学临近校正的掩模优化软件，用于保障芯片设计图能够精确、高效地转移到硅晶圆上，从而生产出高性能的集成电路。LithoOPCGo! 通过复杂的算法和模型，解决光刻物理极限带来的挑战，从而推动了集成电路性能的不断提升和制造成本的有效控制。
复杂多物理场耦合仿真、高效优化流程、海量图形图像处理能力等。
具备版图读取、模型校准、设计规则检查、亚分辨辅助图形生成、掩模修正、光刻结果检查6大核心模块，覆盖完整OPC掩模优化流程。
OPC验证流程主要包括测试数据收集，光刻模型校准，OPC脚本开发以及光刻规则检查等。
具备版图读取、模型校准、设计规则检查、亚分辨辅助图形生成、掩模修正、光刻结果检查6大功能。
采用“C/C++底层核心 + Python灵活扩展”的混合编程架构，并配备直观的GUI界面以支持高效的参数配置与结果分析。
基于非线性系统建模的维纳理论，采用多级串连式Wiener-Padé模型网络，提出适用于各类非线性物理化学过程表征的光刻胶通用快速建模方法。
提供了丰富的基于图形属性，位置关系等版图选取功能以及强大的图形编辑功能。
基于规则的掩模修正功能可以进行刻蚀误差补偿，工艺窗口补偿等。
提供基于规则的亚分辨辅助图形生成功能，极大提高光刻工艺窗口。
提供强大的光学邻近矫正功能，扩大光刻工艺窗口，保障芯片制造良率。
在掩模修正完成后，需要对修正结果进行光刻工艺检查，包括掩模规则检查，光刻工艺窗口预测与检查。
可对曲线形状掩模进行快速光刻仿真，优化掩模轮廓修正光学畸变并保证曲线掩模的可制造性。
